کوره رشد لایه اکسید و نیز دوپینگ برای ساخت ترانزیستور
45 بار بازدید -
3 سال پیش
-
این محصول یک کوره با
این محصول یک کوره با کاربرد بسیار خاص است که با استفاده از ساختار 4 تیوبه آن امکان رشد لایه اکسید مناسب برای گیت ترانزیستور و امکان دوپینگ n و p در فرآیند ایجاد نواحی سورس و درین ترانزیستور فراهم می شود. ماکزیمم دمای کوره 1200 درجه و امکان کاتر در اتمسفر گاز خنثی یا دیگر گازها در آن فراهم است. کنترل دقیق گازها با استفاده از کنترل کننده دقیق فلوی گازها انجام پذیرفته و پروسه ایجاد شده برای دستگاه برای ایجاد لایه های تکرارپذیر و بدون نشتی (مخصوصا در کاربرد به عنوان اکسید گیت) از امتیازات آن به شمار می رود. امکان دوپ بور و فسفر با درصد آلایش متفاوت و با تکرارپذیری بالا با استفاده از این دستگاه محقق می شود.
3 سال پیش
در تاریخ 1400/11/30 منتشر شده
است.
45
بـار بازدید شده